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中天弘宇技术发布会隆重举行 英唐智控董事长一行应邀到贺

发布时间:2021-08-23     所属分类:集团新闻     阅读次数:353

      2021年8月22日,英唐智控合作伙伴中天弘宇在上海浦东举行了“自主研发、国际首创——先进存储技术发布会”。上海市、浦东新区等相关部门,国际半导体协会等行业组织出席,公司董事长胡庆周、 半导体事业群总裁孙磊、董事长助理张光剑一行也应邀出席了本次发布会。

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中国工程院院士倪光南视频致辞

      本次发布会上,中国工程院院士倪光南通过视频方式致辞,他指出本次发布的先进存储技术是一项重大发明,实现了中国存储器底层技术零的突破,希望企业与集成电路行业企业一起发奋努力,设计创新更多自主原创的产品,提高自主原创存储器的市场份额。

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      中天弘宇副总裁、CTO聂虹向与会来宾详细介绍了其先进存储技术的创新原理、优势特点、产业化应用。该技术由传统的“热电子注入”(CHE)升级为 “二次电子倍增注入浮栅”,并创造性地对闪存存储单元结构进行了重构,使新的存储单元突破短沟道穿通的世界性难题、并兼容标准的逻辑制程。运用这一技术的存储产品,有着小面积、低功耗、大容量、低成本的特点,在汽车、工业、5G的领域应用前景广阔。目前该项发明成果已在中、日、美、韩和中国台湾地区申请了成体系的原创性发明专利,其中多项核心专利已获批,专利体系化建设在不断完善之中。

      同时中天弘宇副总裁聂虹还指出,电源管理芯片(PMIC)市场容量巨大,国内起点较低,中天弘宇以此作为新存储技术的市场切入点,将大有可为。据其介绍,运用该项技术的国内某头部代工厂商的90nmBCD工艺平台已经通过产品流片验证,相关测试结果符合设计规格,90nm制程的BCD工艺较当前代工厂中主流BCD工艺平台(130nm-180nm)拥有明显的技术和成本优势。

      英唐智控于2020年11月与中天弘宇签署《合作协议》,双方将结合公司在汽车、工业及移动通信领域的客户资源和渠道分销优势、中天弘宇先进存储技术在90nmBCD工艺平台的技术优势,双方将联合开发电源管理类芯片,并拟以新型存储技术在电源管理芯片上的产业化应用为开端,开展新型存储技术在设计研发、生产制造及市场推广方面的深度合作。本次发布会的成功召开,将有望加快推进双方的合作进程。

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英唐智控、中天弘宇领导合影